Samsung Electronics wykonał milowy krok na rynku pamięci o wysokiej przepustowości. Według najnowszych doniesień, 12-warstwowe stosy pamięci HBM4E (12-Hi) południowokoreańskiego giganta pomyślnie przeszły rygorystyczne testy jakościowe oraz kwalifikacyjne przeprowadzone przez NVIDIĘ oraz kluczowych dostawców usług chmurowych (hyperscalerów).
Dyrektor generalna AMD, Lisa Su, podczas swojej wizyty w Azji poinformowała o planach znacznego zwiększenia dostaw procesorów (CPU) i układów graficznych (GPU) w 2027 roku. Działania te mają na celu zaspokojenie dynamicznie rosnącego popytu na rywalizującym rynku sztucznej inteligencji oraz w sektorze wysokowydajnych obliczeń.
Firma Micron najwyraźniej rezygnuje z dalszej produkcji układów pamięci GDDR7 o pojemności 2 GB (16 Gb), w tym wariantu o przepustowości 28 Gb/s stosowanego m.in. w niektórych kartach graficznych z serii GeForce RTX 50. Jak donosi serwis UNIKO’s Hardware, moduł D8FHL (oznaczony kodem MT68A512M32DF-28:A) osiągnął status EOL (End of Life – wycofany z produkcji).
Chiński producent pamięci DRAM – ChangXin Memory Technologies (CXMT) – oficjalnie ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji kości RAM nowej generacji w standardzie LPDDR6. To przełomowy moment dla chińskiego sektora półprzewodników, a jednym z pierwszych kluczowych odbiorców nowej technologii będzie koncern Xiaomi.
Chiński producent pamięci DRAM, firma ChangXin Memory Technologies (CXMT), oficjalnie rozpoczął masową produkcję modułów LPDDR6 nowej generacji.
Chiński producent pamięci CXMT (ChangXin Memory Technologies) stale zmniejsza dystans do liderów rynku DRAM (Samsung, SK Hynix, Micron). Najnowsze testy pokazują, że moduły oparte na układach tej firmy przekroczyły barierę 9000 MT/s, a także osiągają bardzo niskie opóźnienia CL28 przy standardowych częstotliwościach.
