Chiny wyprzedzają gigantów. CXMT rozpoczyna masową produkcję pamięci LPDDR6

Chiński producent pamięci DRAM, firma ChangXin Memory Technologies (CXMT), oficjalnie rozpoczął masową produkcję modułów LPDDR6 nowej generacji. Tym samym przedsiębiorstwo stanęło w jednym szeregu z południowokoreańskimi gigantami branży, takimi jak Samsung czy SK hynix, stając się jednym z pierwszych dostawców tego typu pamięci na rynku.

Rychłe uruchomienie produkcji na masową skalę oznacza, że wcześniejsze fazy próbne przyniosły bardzo wysoki uzysk (yield). Z doniesień wynika, że pierwszym kluczowym klientem CXMT na nowe pamięci została marka Xiaomi, która planuje wykorzystać je w nadchodzącym składanym smartfonie Xiaomi 18 Fold. Dostawy układów do producenta urządzeń już trwają.

Specyfikacja nowej pamięci od CXMT

• Przepustowość: Pierwsza generacja kości LPDDR6 z fabryk CXMT osiąga transfery do 12,8 Gb/s (podstawowa specyfikacja standardu LPDDR6 startuje od 10,7 Gb/s). Dla porównania: topowe, mocno podkręcone moduły poprzedniej generacji LPDDR5X dochodziły do maksymalnie 10,7 Gb/s.

• Pojemność kości: Układy powstają w pojemności 16 Gb (co odpowiada 2 GB pamięci RAM na kość).

• Obudowa: Pamięci produkowane są w obudowach typu PoP (Package-on-Package) i bazują na podstawce BGA liczącej około 1295 pinów.

Konkurencja nie śpi

Choć CXMT bardzo szybko przeszło do fazy komercyjnej, liderzy rynku również domykają swoje projekty. SK hynix poinformował niedawno o gotowości do uruchomienia masowej produkcji własnych pamięci LPDDR6 16 Gb, powstających w zaawansowanym procesie klasy 10 nm 6. generacji (1c). Układy od południowokoreańskiego producenta mają oferować jeszcze wyższą przepustowość, sięgającą do 14,4 Gb/s – wszystkie te wartości wciąż mieszczą się w ramach oficjalnych norm stowarzyszenia JEDEC.