Użytkownicy planujący rozbudowę lub zakup starszej platformy PC nie mają powrotów do dobrych wiadomości. Analitycy rynkowi ostrzegają, że ceny pamięci DDR4 zaczęły gwałtownie rosnąć – w ciągu ostatnich trzech miesięcy wzrosły o 24%, prześcigając nawet tempo podwyżek dla standardu DDR5.
Chiński producent pamięci NAND flash, Yangtze Memory Technologies Corp (YMTC), oczekuje, że globalny niedobór pamięci utrzyma się jeszcze przez około trzy lata — aż do końca 2029 roku.
Firma Micron Technology, Inc. opublikowała wyniki finansowe za czwarty kwartał oraz cały rok podatkowy 2026 (zakończony 3 września 2026 r.). Amerykański producent pamięci odnotował rekordowe przychody napędzane ogromnym popytem na układy DRAM i NAND ze strony sektora sztucznej inteligencji i centrów danych. Jednocześnie kierownictwo ostrzega: deficyt pamięci na rynku w kolejnych latach jeszcze bardziej się nasili.
Firma Micron najwyraźniej rezygnuje z dalszej produkcji układów pamięci GDDR7 o pojemności 2 GB (16 Gb), w tym wariantu o przepustowości 28 Gb/s stosowanego m.in. w niektórych kartach graficznych z serii GeForce RTX 50. Jak donosi serwis UNIKO’s Hardware, moduł D8FHL (oznaczony kodem MT68A512M32DF-28:A) osiągnął status EOL (End of Life – wycofany z produkcji).
Firma Micron zaprezentowała pierwszy na świecie pojedynczy moduł pamięci RAM DDR5 RDIMM o gigantycznej pojemności 512 GB. Przełomowy moduł zaprojektowany z myślą o serwerach nowej generacji i zastosowaniach AI osiąga prędkości do 9200 MT/s i ma trafić do masowej produkcji w drugiej połowie 2027 roku.
Firma Micron pracuje nad nowym podejściem do architektury pamięci dla akceleratorów graficznych. Producent analizuje możliwość umieszczenia kości pamięci flash NAND o wysokiej wytrzymałości bezpośrednio w sąsiedztwie procesora graficznego (tzw. near-GPU NAND), pomijając tradycyjne magistrale i protokoły przesyłu danych.
Jeden z użytkowników dysku SSD Crucial X9 o pojemności 4 TB udowodnił, że nie warto ulegać zaniżonym ofertom w ramach gwarancji producenta. Gdy urządzenie uległo awarii, złożył wniosek reklamacyjny (RMA).
Chiński producent pamięci CXMT (ChangXin Memory Technologies) stale zmniejsza dystans do liderów rynku DRAM (Samsung, SK Hynix, Micron). Najnowsze testy pokazują, że moduły oparte na układach tej firmy przekroczyły barierę 9000 MT/s, a także osiągają bardzo niskie opóźnienia CL28 przy standardowych częstotliwościach.
