Micron planuje pamięci 3D NAND z ponad 400 warstwami i technologią łączenia wafli na 2027 rok

Firma Micron aktywnie przygotowuje się do wdrożenia do produkcji pamięci Flash NAND nowej generacji o nazwie G11. Podczas gdy obecna generacja G9 wykorzystuje ponad 200 warstw, zbliżające się granice skalowania w pionie wymuszają przejście na zupełnie nowe rozwiązania konstrukcyjne. W przypadku G11 Micron zamierza zastosować metodę łączenia typu wafer-on-wafer (W2W), idąc w ślady chińskiego giganta YMTC, który z powodzeniem stosuje technologię 3D Stacking (znaną jako Xtacking).

Jak działa łączenie wafli (Wafer-to-Wafer Bonding)?

Nowe podejście polega na podzieleniu struktury na osobne komponenty:

• Wafel z komórkami pamięci (memory cell wafer),

• Wafel z peryferyjnymi układami logicznymi.

Obie warstwy są łączone za pomocą zaawansowanego procesu hybrydowego (hybrid bonding), w którym zatopione mikroelementy metaliczne trwale zrastają się, tworząc pojedynczy, zintegrowany układ. Dzięki temu Micron planuje wprowadzić na rynek pamięci NAND z ponad 400 warstwami już w drugiej połowie 2027 roku.

Podwojenie gęstości i wyższa wydajność

Zgodnie z zapowiedziami, generacja G11 przyniesie znaczący skok parametrów technicznych:

• Gęstość bitowa: Wzrost z 21 Gb/mm² (generacja G9) do 42 Gb/mm² w G11 (podwojenie pojemności w przeliczeniu na milimetr kwadratowy).

• Szybkość I/O: Skok z 3600 MT/s (G9) do 5400 MT/s w G11.

• Energooszczędność: Spadek zużycia energii na transfer pojedynczego bitu o 25%.

Jak zauważają redaktorzy TechPowerUp, rzeczywista wydajność gotowych dysków SSD będzie zależeć nie tylko od samych kości pamięci, ale także od zastosowanego kontrolera, oprogramowania układowego (firmware) oraz liczby układów NAND na płytce drukowanej. Niemniej jednak rok 2027 zapowiada się jako kluczowy okres dla rozwoju technologii półprzewodnikowych i pamięci masowych.