Micron zapowiada pierwszy na świecie moduł DDR5 o pojemności 512 GB. Trafi do produkcji w 2027 roku

Nowa pamięć Micron 512GB DDR5 RDIMM powstała w odpowiedzi na gwałtownie rosnące zapotrzebowanie ze strony systemów sztucznej inteligencji, modeli językowych (LLM) oraz potężnych baz danych działających w pamięci operacyjnej (in-memory).

Aż 12 TB RAM-u w jednym serwerze

Dzięki zastosowaniu zaawansowanej technologii pionowego pakowania kości DRAM z wykorzystaniem połączeń przez krzem (TSV - Through-Silicon Vias), Micron zdołał upakować niespotykaną dotąd gęstość pamięci w pojedynczej kości.

Wykorzystanie modułów 512 GB pozwala na osiągnięcie aż 12 TB pamięci DDR5 DRAM w standardowym dwugniazdowym serwerze z 24 slotami na RAM.

Najważniejsze zalety i parametry:

• Pojemność: 512 GB w pojedynczym module RDIMM.

• Szybkość transferu: do 9200 MT/s.

• Oszczędność energii: ponad 60% niższy pobór mocy w porównaniu do zastosowania czterech osobnych modułów 128 GB (16,0 W kontra 44,2 W).

• Wzrost wydajności: do 1,4x wyższa przepustowość w zoptymalizowanych zadaniach analitycznych w porównaniu z konfiguracjami opartymi na modułach 256 GB.

Współpraca z gigantami branży

Moduły są już w fazie walidacji i testów partnerów technologicznych. Nad ich integracją pracują inżynierowie firm AMD oraz Intel, aby zapewnić pełne wsparcie dla nadchodzących platform serwerowych nowej generacji. Potrzebę wdrożenia tak dużych pamięci potwierdzają również giganci z sektora finansowego i chmurowego, tacy jak JPMorganChase.

Premiera rynkowa i masowa produkcja nowych kości zostały zaplanowane na drugą połowę 2027 roku, co zbiega się w czasie z uruchomieniem nowych fabryk pamięci DRAM budowanych przez Microna.