Samsung Electronics wykonał milowy krok na rynku pamięci o wysokiej przepustowości. Według najnowszych doniesień, 12-warstwowe stosy pamięci HBM4E (12-Hi) południowokoreańskiego giganta pomyślnie przeszły rygorystyczne testy jakościowe oraz kwalifikacyjne przeprowadzone przez NVIDIĘ oraz kluczowych dostawców usług chmurowych (hyperscalerów).
Chińscy producenci chipów AI podnoszą ceny akceleratorów, ponieważ niedobór pamięci o dużej przepustowości (HBM) sprawia, że dążenie Pekinu do zastąpienia produktów NVIDII staje się kosztownym problemem.
Według najnowszych danych przedstawionych przez AMD, architektura pamięci 3D DRAM wykorzystująca hybrydowe spajanie (hybrid bonding) może osiągnąć nawet 17-krotnie wyższą efektywność energetyczną w porównaniu do tradycyjnych stosów pamięci HBM opartych na mikropołączeniach lutowanych (microbumps).
Firma Micron pracuje nad nowym podejściem do architektury pamięci dla akceleratorów graficznych. Producent analizuje możliwość umieszczenia kości pamięci flash NAND o wysokiej wytrzymałości bezpośrednio w sąsiedztwie procesora graficznego (tzw. near-GPU NAND), pomijając tradycyjne magistrale i protokoły przesyłu danych.
Rynki sprzętu elektronicznego przechodzą jeden z najbardziej dynamicznych i trudnych okresów w historii technologii konsumenckiej. Składanie własnego komputera lub zakup gotowego zestawu przestały być domeną czysto optymalizacyjnych wyborów sprzętowych – stały się wyzwaniem strategicznym. Najnowsze dane rynkowe pokazują, że ceny kluczowych podzespołów komputerowych poszybowały w górę, doprowadzając do sytuacji, w której budżetowy PC kosztuje tyle, co jeszcze niedawno sprzęt ze średnio-wyższej półki.
